高压试验普考第3页 - 高压试验普考

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小电容(小于500PF)试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是

2023-12-01高压试验普考

现场环境温度为20℃测得220kV膜纸绝缘电容式电压互感器介质损tgδ值为0.4%。合格

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进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。

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电环境温度为20℃，测得220kV断路器油纸绝缘并联电容器介质损tgδ值为0.4%。

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当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

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当tgδ随温度增加明显增大或试验电压从10kV升到Um/√3,tgδ增量超过±0.3%时，不应继续运行。

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测量绝缘介质损tgδ能反映绝缘本身状态，同时又能反映绝缘由良好状态向劣化状况转化过程。

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35kV油浸式串联电抗器绕组连同套管的tanδ值，在20℃时测得tanδ值为3.5%不合格。

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在一般的情况下，介质损tgδ试验主要反映电力设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。

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在交流电压下，两种不同介电系数的绝缘串联使用，介电系数大的介质承受电压高。

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